非導(dǎo)電樣品在掃描電鏡（SEM）下成像時(shí)，由于電子束轟擊樣品會(huì)導(dǎo)致電荷積累，進(jìn)而產(chǎn)生充電效應(yīng)，這可能導(dǎo)致圖像畸變、漂移甚至無(wú)法成像。以下是幾種常見的成像方法：

1. 金屬鍍膜

在樣品表面沉積一層導(dǎo)電薄膜（如金、鉑、鉻、碳等），形成導(dǎo)電路徑，使積累的電子逸散：

熱蒸發(fā)鍍膜（金、鉑等，適用于生物樣品）

磁控濺射鍍膜（均勻度好，適用于細(xì)膩結(jié)構(gòu)）

碳鍍膜（適用于 EDS/EBSD，不影響成分分析）

適用情況：適用于大多數(shù)高分辨率成像需求，但可能影響表面微觀結(jié)構(gòu)。

2. 低真空模式（環(huán)境掃描電鏡，ESEM）

使用低真空（10-100 Pa）或潮濕環(huán)境，引入水蒸氣或氣體，提升電子散射，從而中和充電：

適用于未經(jīng)鍍膜的樣品（如生物樣品、陶瓷、聚合物等）

保持樣品原始形貌

但分辨率略低于高真空模式

適用情況：適用于不希望破壞樣品表面的情況，如生物樣品、聚合物等。

3. 低加速電壓成像

降低電子束加速電壓（如 < 5 kV），減少電子穿透深度，降低樣品的電荷積累：

低電壓模式可減少表面電荷積累

適用于較薄或較低密度的非導(dǎo)電樣品

分辨率較高，但可能信噪比降低

適用情況：適用于無(wú)鍍膜成像，但對(duì)信號(hào)采集要求較高。

4. 充電補(bǔ)償器

在 SEM 中引入低能量電子槍（如負(fù)電荷補(bǔ)償槍），向樣品表面釋放低能電子，中和積累的正電荷：

需要特定的設(shè)備支持

適用于一些情況下的無(wú)鍍膜成像

適用情況：適用于超高精度成像，但成本較高。

5. 使用導(dǎo)電膠或銀漿固定樣品

用導(dǎo)電膠（碳膠、銀膠）或銅導(dǎo)電膠帶連接樣品與 SEM 樣品臺(tái)

減少電荷積累，提高電子泄放

適用于小樣品，但不適用于大面積均勻成像

適用情況：適用于大塊樣品或局部區(qū)域分析。

以上就是澤攸科技小編分享的非導(dǎo)電樣品在掃描電鏡下如何成像的介紹。更多掃描電鏡產(chǎn)品及價(jià)格請(qǐng)咨詢